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晶体管

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RM21N650T1

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-220F MOSFET
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数量单价合计
1,000
¥12.3735
12373.5
2,000
¥10.5994
21198.8
4,000
¥9.6841
38736.4
10,000
¥8.8366
88366
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,RM21N650T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.07576
10:¥0.9605
100:¥0.33787
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:29351
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 20A 600V
1:¥255.0297
5:¥252.4194
10:¥235.2095
25:¥224.6779
参考库存:1348
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 65V 100mA HFE/800
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:49755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V NPN Bipolar Transistor
1:¥1.07576
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:228407
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
2,000:¥0.39211
参考库存:63699
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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