TSM5055DCR RLG详细信息_TSM5055DCR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	38 A, 107 A
Rds On-漏源导通电阻	8.8 mOhms, 2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	9.3 nC, 49 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	30 W, 69 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Reel
晶体管类型	Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	27 S, 47 S
下降时间	14 ns, 49 ns
湿度敏感性	Yes
产品类型	MOSFET
上升时间	65 ns, 79 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	8.2 ns, 34 ns
典型接通延迟时间	4.8 ns, 11 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN31D5UFZ-7B	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W	1:¥2.6103 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 2,500:¥0.71416 10,000:¥0.66896	参考库存:81406
PBSS4032NZ,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 30V 4.9A 700mW 145MHz	1:¥4.9155 10:¥4.0454 100:¥2.6103 1,000:¥2.0905 2,000:¥1.7628	参考库存:8488
RU1E002SPTCL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch	1:¥2.3052 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:19405
SMMUN2213LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR	1:¥2.8476 10:¥1.8306 100:¥0.78422 1,000:¥0.60681 3,000:¥0.46104	参考库存:73097
DTC144WET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR NPN 50V	1:¥1.1526 10:¥1.11418 100:¥0.39211 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:55814