QPD2796详细信息_QPD2796相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：32,613(价格仅供参考)

数量	单价	合计
250	¥648.6878	162171.95

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	20 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.5 GHz to 2.7 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130963

商品其它信息

优势价格，QPD2796的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBTA 42 LT1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 300V 0.5A	1:¥2.8476 10:¥1.921 100:¥0.79891 1,000:¥0.54579 3,000:¥0.43053	参考库存:75382
2SD2150T100R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 3A	1:¥3.6838 10:¥3.0284 100:¥1.8419 1,000:¥1.4238 2,000:¥1.2204	参考库存:5634
RZQ050P01TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A	1:¥5.6048 10:¥4.6217 100:¥2.9832 1,000:¥2.3843 3,000:¥2.0114	参考库存:19376
MMBT2222ALT1HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A	1:¥1.6159 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.25312	参考库存:89743
MMBT3906SL	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA PNP Epitaxial Silicon	1:¥2.7685 10:¥1.8645 100:¥0.78422 1,000:¥0.52997 8,000:¥0.35369 24,000:查看	参考库存:345875