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晶体管
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GTVA263202FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,866.1385
93306.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
配置
Dual Common Source
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，GTVA263202FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB030N08N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥25.1312
10:¥21.357
100:¥18.4416
250:¥17.515
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:25674
DMG1013T-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:541176
APTGT200A120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,263.6338
5:¥1,232.4345
10:¥1,202.772
25:¥1,159.0523
参考库存:2788
TPC8407,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N and P Ch 30V FET 9A 1.5W 1190pF
1:¥8.4524
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
2,500:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:22305
TSM80N400CF C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12532

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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