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晶体管
PXFC192207FH-V3-R0参考图片

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PXFC192207FH-V3-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥823.8039
41190.195
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
20.5 dB
输出功率
220 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37288G-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1990 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXFC192207FH-V3-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5781
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥44.183
10:¥39.4935
100:¥35.9566
250:¥32.431
参考库存:4289
BC547BBU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/450
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
参考库存:116711
BD13610STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
参考库存:16738
BD442G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 36W PNP
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7967
参考库存:10340
DTC114YET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:93637

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    50万现货SKU

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