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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	19 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.62 GHz to 2.69 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	500
子类别	Transistors
零件号别名	1130771

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PDTC143ET,235	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11	10,000:¥0.18419 20,000:¥0.1695 50,000:¥0.14577 100,000:¥0.12317	参考库存:35935
2N6430	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .	2,000:¥31.6626	参考库存:35940
2N3420	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW	500:¥27.8884 1,000:¥26.0465 2,000:¥24.747	参考库存:35945
MRF8P29300HSR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S	150:¥2,672.5743	参考库存:35950
BYV430K-300PQ	WeEn Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual Ultrafast Power Diode	900:¥9.6841 1,350:¥7.9891 2,700:¥7.4467 5,400:¥7.1642	参考库存:35955