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晶体管
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PTFB182503FL-V2-R250

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数量单价合计
250
¥823.8039
205950.975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB182503FL-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCD5N60TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 650V SUPERFET
1:¥10.2152
10:¥8.7575
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
2,500:¥4.7008
参考库存:45439
FDZ371PZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:10721
FDMA1025P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:29398
FS100R12KT4G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,160.3631
5:¥1,137.5371
10:¥1,084.5175
25:¥1,061.7028
参考库存:2015
IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:6962

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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