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晶体管
FDS8449-F085P参考图片

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FDS8449-F085P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 40V,NCH POWER TRENCH MOSFET
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数量单价合计
2,500
¥2.8476
7119
10,000
¥2.7459
27459
25,000
¥2.6555
66387.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
7.6 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FDS8449_F085P
商品其它信息
优势价格，FDS8449-F085P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM4N650T2
Rectron
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2,000:¥3.7855
4,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
24,000:¥3.0962
参考库存:37500
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Rectron
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2,500:¥2.7233
5,000:¥2.486
10,000:¥2.2713
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Si Planar Trans NPN, 30V, .1A
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥206.7787
250:¥189.7948
500:¥180.574
参考库存:37520

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