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晶体管

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VS-GB300TH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
500 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.645 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB300TH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
参考库存:31458
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:31463
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥452.5876
参考库存:31468
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥91.2814
250:¥83.2132
500:¥77.8344
1,000:¥71.4612
参考库存:31473
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.6712
250:¥82.6821
500:¥77.3824
1,000:¥70.9979
参考库存:31478
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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