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晶体管
BUK765R2-40B,118参考图片

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BUK765R2-40B,118

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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数量单价合计
4,800
¥4.3053
20665.44
9,600
¥4.1471
39812.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
143 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
203 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
高度
4.5 mm
长度
10.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.4 mm
商标
Nexperia
下降时间
56 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
/T3 BUK765R2-40B
商品其它信息
优势价格，BUK765R2-40B,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847AW-G
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6V, 10uA
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.35369
24,000:¥0.33787
45,000:¥0.31527
99,000:¥0.26894
参考库存:30164
340S14-UR
THAT
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low-Noise Matched Transistor Array
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ZXT12N50DXTC
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
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参考库存:30174
SUV85N10-10-E3
Vishay / Siliconix
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500:¥34.0356
1,000:¥29.6625
2,500:¥28.5099
参考库存:30179
IKD15N60RAATMA1
Infineon Technologies
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IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
2,500:¥9.2999
5,000:¥8.9948
10,000:¥8.6106
参考库存:30184

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    50万现货SKU

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