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晶体管
IPA65R190CFDXKSA2参考图片

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IPA65R190CFDXKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：35,675(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥14.1363
7068.15
1,000
¥11.9102
11910.2
2,500
¥11.30
28250
5,000
¥10.9158
54579
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPA65R190CFD
商品其它信息
优势价格，IPA65R190CFDXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7404
500:¥5.0737
2,500:¥3.5482
10,000:查看
参考库存:29982
PBSS4041NT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor Load Switch
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:346139
TIP42B
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 65W
1:¥8.7575
10:¥7.1416
100:¥5.9551
500:¥4.5991
1,000:¥4.1471
参考库存:11066
MMRF1004NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
参考库存:7168
CSD25485F5T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 20v P-Channel FemtoFet
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:12825

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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