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晶体管
SIHD3N50DT5-GE3参考图片

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SIHD3N50DT5-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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库存：35,033(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥2.6103
7830.9
6,000
¥2.4295
14577
12,000
¥2.3391
28069.2
27,000
¥2.2487
60714.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格，SIHD3N50DT5-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N10S405AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.6787
参考库存:10562
PSMP025-40YEX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMP025-40YE LFPAK
1,500:¥2.4408
3,000:¥2.0566
10,500:¥1.9775
25,500:¥1.9097
参考库存:38514
AFV10700H-1090
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:38519
NTMFS4937NCT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 70A 4.5 O
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
1,500:¥2.1244
参考库存:38524
PDTB113ZUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:38529

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    50万现货SKU

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