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晶体管
NVD5C460NT4G参考图片

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NVD5C460NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V DPAK EXP
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库存：33,417(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.9945
7486.25
10,000
¥2.8702
28702
25,000
¥2.7911
69777.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，NVD5C460NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHA20N50E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
参考库存:8016
BBL4001-1E
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.8256
500:¥12.9837
参考库存:7228
STD60NF55LAT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 55 V, 0.012 Ohm, 60 A DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:15570
IRF40H210
Infineon / IR
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
4,000:¥5.989
8,000:查看
参考库存:22457
IPD30N12S3L31ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥8.2942
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
2,500:¥3.39
10,000:查看
参考库存:15734

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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