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晶体管
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NVD5C460NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V DPAK EXP
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数量单价合计
2,500
¥2.9945
7486.25
10,000
¥2.8702
28702
25,000
¥2.7911
69777.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，NVD5C460NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N06S4H1AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
500:¥15.594
参考库存:3055
PDTC124EMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:51592
SIZ300DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ342DT-T1-GE3
1:¥8.6784
10:¥7.1755
100:¥5.5144
500:¥4.7347
3,000:¥3.4917
6,000:查看
参考库存:16274
RN2902,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:31596
STP2N95K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:6598

  • 海量现货

    50万现货SKU

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