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晶体管
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QPD1018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.7 GHz to 3.1 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1018EVB
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFZ44PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥13.1419
10:¥10.8367
参考库存:16176
MMBT3906WT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V PNP
1:¥1.07576
10:¥0.9605
100:¥0.33787
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:239563
IRFIBC30GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:6980
MJF18004G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 450V 35W NPN
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9495
参考库存:9007
IRFI730GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.8422
参考库存:8284

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    50万现货SKU

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