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晶体管
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FS75R12KE3_B9

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数量单价合计
10
¥851.5454
8515.454
30
¥833.6349
25009.047
100
¥791.9153
79191.53
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3B9BOSA1 SP000721046
商品其它信息
优势价格，FS75R12KE3_B9的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS25R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:33690
IPLK70R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.7233
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5312
参考库存:33695
APTGLQ75H65T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥567.9267
5:¥550.1744
10:¥533.4278
25:¥509.4492
参考库存:33700
CMLM0585 TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Schottky 650mA 0.47V 0.5A
9,000:¥0.72998
24,000:¥0.66896
45,000:¥0.64523
99,000:¥0.61472
参考库存:186941
CMPT5551 BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 350mW
5,600:¥1.04525
10,500:¥0.97632
25,200:¥0.92208
50,400:¥0.90626
100,100:¥0.86784
参考库存:33707

  • 海量现货

    50万现货SKU

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