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晶体管
SQD23N06-31L_T4GE3参考图片

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SQD23N06-31L_T4GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
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数量单价合计
2,500
¥2.8363
7090.75
5,000
¥2.7007
13503.5
10,000
¥2.5877
25877
25,000
¥2.5086
62715
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，SQD23N06-31L_T4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFSL7430PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:6677
PMCM6501VPEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
4,500:¥1.6046
9,000:查看
参考库存:21844
BD678AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
参考库存:9211
SQM70060EL_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6078
IRFR9010PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
参考库存:17240

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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