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晶体管
DMTH6009LPSQ-13参考图片

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DMTH6009LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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数量单价合计
2,500
¥2.5877
6469.25
10,000
¥2.486
24860
25,000
¥2.4182
60455
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11.76 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
33.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
DMTH6009
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.9 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ECH8308-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.3617
参考库存:28312
DMP2305U-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.52997
参考库存:39604
DMP2160UW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET SINGLE P-CHANNEL
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:160331
IRFIBF30GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥28.0466
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:11923
FDB3682
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.2997
参考库存:15140

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    50万现货SKU

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