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晶体管
DMTH6009LPSQ-13参考图片

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DMTH6009LPSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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库存:28,509(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.5877
6469.25
10,000
¥2.486
24860
25,000
¥2.4182
60455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11.76 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
33.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
DMTH6009
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.9 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
商品其它信息
优势价格,DMTH6009LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥2.2713
参考库存:24972
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 150MA
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:10619
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9892
800:¥9.9892
参考库存:46481
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
参考库存:13846
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:25398
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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