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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	47
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 500 mA
峰值直流集电极电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB143EC
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STGB30H65FB	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package	1:¥21.5152 10:¥18.2834 100:¥14.5996 500:¥12.8368	参考库存:8544
MTM684110LBF	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm	3,000:¥2.486	参考库存:35008
PMDPB80XP,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET	3,000:¥1.11418 9,000:¥1.04525 24,000:¥0.9831 45,000:¥0.9605 99,000:¥0.92999	参考库存:35013
SK830321KL	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm	5,000:¥1.5707 10,000:¥1.5142 25,000:¥1.4577 50,000:¥1.4125	参考库存:35018
DMTH10H015SPSQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V	2,500:¥4.2375	参考库存:35023