DTB143ECT216详细信息_DTB143ECT216相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	47
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 500 mA
峰值直流集电极电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB143EC
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD88539ND	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET	1:¥6.6105 10:¥5.6048 100:¥4.3166 500:¥3.8081 2,500:¥2.6781 10,000:查看	参考库存:140195
VRF151MP	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥745.8904 2:¥722.7593 5:¥722.522 10:¥699.244	参考库存:1637
2N2904	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W	1:¥17.063 10:¥15.2098 100:¥12.1362 500:¥10.5994	参考库存:2604
IPB60R299CPA	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA	1:¥20.3626 10:¥17.289 100:¥14.9838 250:¥14.2154 1,000:¥10.7576 2,000:查看	参考库存:6536
2N6661	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 90V 4Ohm	1:¥87.5976 10:¥86.3659 25:¥80.2978 100:¥72.772	参考库存:5663