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晶体管
BSZ058N03MSGXT参考图片

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BSZ058N03MSGXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
5,000
¥2.3391
11695.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ058N03MS BSZ058N03MSGATMA1 G SP000311508
商品其它信息
优势价格，BSZ058N03MSGXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA204030R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.3053
10:¥2.8476
100:¥1.7628
500:¥1.5933
3,000:¥0.99892
9,000:查看
参考库存:16010
IRF624PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.5258
参考库存:4522
FJP13007H1TU-F080
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV FAST-SWITCHING NPN PWR TRANSISTOR
1:¥6.4523
10:¥5.3562
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:5614
FQPF11N40C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5936
500:¥6.7122
参考库存:2531
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:12453

  • 海量现货

    50万现货SKU

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