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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	H-PSOF-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	240 A
Rds On-漏源导通电阻	2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	73 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	357 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
晶体管类型	1 N-Channel Power Trench MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	8 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	16 ns
工厂包装数量	2000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	32 ns
典型接通延迟时间	25 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC123JCA-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTORS	3,000:¥0.29945 9,000:¥0.25312 24,000:¥0.23843 45,000:¥0.22261 99,000:¥0.20001	参考库存:24545
EMF21T2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN	1:¥3.842 10:¥2.8928 100:¥1.5707 1,000:¥1.1752 8,000:¥0.95259 24,000:查看	参考库存:24550
P12F60HP2-5600	Shindengen	晶体管	PDF数据手册	MOSFET High Switching Speed High Voltage	1:¥21.9785 10:¥18.984 100:¥16.9839 250:¥15.8313	参考库存:24555
BCP5116H6433XTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.7629 10:¥3.1753 100:¥1.9323 1,000:¥1.5029 4,000:¥1.2769	参考库存:24560
P13F50HP2-5600	Shindengen	晶体管	PDF数据手册	MOSFET High Switching Speed High Voltage	1:¥18.3625 10:¥15.8313 100:¥14.2154 250:¥13.221	参考库存:24565