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晶体管
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APT60GA60JD60

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥317.5752
317.5752
5
¥306.8967
1534.4835
10
¥296.9075
2969.075
25
¥274.6239
6865.5975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
112 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
356 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT60GA60JD60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTP19100CGTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 2A
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:15137
FZT958TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt HighV
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:21279
FMMTL718TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
9,000:¥0.95259
参考库存:31441
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:75688
FCX593TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:18660

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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