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晶体管
DMTH43M8LK3Q-13参考图片

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DMTH43M8LK3Q-13

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥2.9945
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH43M8
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.5 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH43M8LK3Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:查看
参考库存:93130
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    50万现货SKU

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