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晶体管
FZ400R12KE3参考图片

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FZ400R12KE3

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库存:1,427(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.915
19647.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KE3HOSA1 SP000100737
商品其它信息
优势价格,FZ400R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V N-Ch PFC FET 30Vgs 3.0nC 2.44Ohm
1:¥7.7631
10:¥6.3506
100:¥5.2997
500:¥4.0906
2,500:¥3.277
10,000:查看
参考库存:16172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 10A 50V
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
参考库存:26079
晶体管
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
2,500:¥2.5199
参考库存:26386
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SNGL PNP GP TRA SOT1123
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:99273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60590
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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