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晶体管
BSO033N03MSGXUMA1参考图片

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BSO033N03MSGXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1359
613.59
500
¥5.4353
2717.65
1,000
¥4.2827
4282.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
14 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
12.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
BSO033N03MS BSO33N3MSGXT G SP000446072
单位重量
175 mg
商品其它信息
优势价格，BSO033N03MSGXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRGB4061DPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥28.2726
10:¥23.9786
100:¥20.8259
250:¥19.7524
参考库存:7012
DCP52-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:8869
BCR 133W H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:169711
BCR 169 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:5498
SQJ409EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.198
3,000:¥3.8307
6,000:查看
参考库存:136100

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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