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晶体管
IGB15N65S5ATMA1参考图片

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IGB15N65S5ATMA1

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数量单价合计
1
¥14.9838
14.9838
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9157
4457.85
1,000
¥7.3789
7378.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
105 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
35 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IGB15N65S5 SP001502560
商品其它信息
优势价格，IGB15N65S5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC025N03MS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,000:¥4.1923
5,000:¥4.1923
参考库存:22498
IPD50N03S2-07
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:13330
SIS413DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:281807
MJD148T4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 20W NPN
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
2,500:¥1.921
参考库存:18899
FDMC86102L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
3,000:¥4.5991
9,000:查看
参考库存:8951

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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