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晶体管
SSM6K217FE,LF参考图片

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SSM6K217FE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.1413
114.13
1,000
¥0.82942
829.42
4,000
¥0.71416
2856.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6K
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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