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晶体管
NTMD6P02R2G参考图片

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NTMD6P02R2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 6A P-Channel
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3901
53.901
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.6612
1830.6
2,500
¥2.5651
6412.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
NTMD6P02
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
80 ns, 50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns, 20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns, 85 ns
典型接通延迟时间
17 ns, 15 ns
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格，NTMD6P02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2880
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3,200:¥1.8419
5,600:¥1.6837
10,400:¥1.5368
25,600:¥1.5142
参考库存:37915

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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