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晶体管
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STGB20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存：6,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTLUS4C12NTBG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:16153
NX2301PVL
Nexperia
晶体管
MOSFET NX2301P/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
2,500:¥0.49946
10,000:¥0.44522
参考库存:93170
IRLR024NTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,000:¥2.825
参考库存:97697
STB9NK80Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protected
1:¥22.826
10:¥19.3682
100:¥16.8257
250:¥15.9782
1,000:¥12.0684
2,000:查看
参考库存:4679
NDT3055
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SOT-223 N-CH ENHANCE
1:¥6.2263
10:¥5.198
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
4,000:¥2.26
参考库存:32841

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    50万现货SKU

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