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晶体管
STGB20M65DF2参考图片

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STGB20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存:6,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Si PNP Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.03734
参考库存:24259
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V Dual Complementary
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:188196
晶体管
MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
3,000:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:11928
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
1:¥5.4579
10:¥4.5991
100:¥3.4465
500:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:29830
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 20V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:20057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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