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晶体管
SIS903DN-T1-GE3参考图片

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SIS903DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:31,311(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.2828
62.828
100
¥4.8138
481.38
500
¥4.1471
2073.55
1,000
¥3.277
3277
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
20.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
30 ns
商品其它信息
优势价格,SIS903DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:78754
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO92 PNP 2W BULK
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
参考库存:56486
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥35.9566
10:¥30.5778
100:¥26.5098
250:¥25.1312
500:¥22.5887
参考库存:5323
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
1:¥54.9406
10:¥49.6409
25:¥47.3357
100:¥41.1094
参考库存:4170
晶体管
MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3619
500:¥5.6274
4,000:¥3.9437
8,000:查看
参考库存:14727
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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