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晶体管
BSC080N03MS G参考图片

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BSC080N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存：49,268(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥2.2374
11187
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC080N03MSGATMA1 BSC8N3MSGXT SP000311514
单位重量
180 mg
商品其它信息
优势价格，BSC080N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG8601UFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:47184
AUIRF7675M2TR
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
4,800:¥6.0681
9,600:查看
参考库存:26036
STP5NK100Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
1,000:¥10.9158
参考库存:8083
MCH4017-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY TR
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:45540
FDB2614
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥33.5045
10:¥28.5099
100:¥24.6679
250:¥23.4362
500:¥20.9728
800:¥20.9728
参考库存:5207

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    50万现货SKU

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