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晶体管
DMHC10H170SFJ-13参考图片

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DMHC10H170SFJ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
1,000
¥4.0906
4090.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
V-DFN5045-12
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.9 A, 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
111 mOhms, 191 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.7 nC, 17.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMHC10H
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
12.8 ns, 34.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.1 ns, 14.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.6 ns, 57.4 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns, 9.1 ns
商品其它信息
优势价格，DMHC10H170SFJ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA1577T106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:5269
IPP041N04N G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
1,000:¥4.1132
参考库存:5721
AUIRF1404Z
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
参考库存:5023
KSA931YTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥2.8476
10:¥1.9888
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
2,000:¥0.5989
参考库存:51740
DTC043TEBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:11457

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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