BCR 183 E6327详细信息_BCR 183 E6327相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR183
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR183E6327HTSA1 BCR183E6327XT SP000010794
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZUMT717TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super323	1:¥2.9945 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.00683	参考库存:15253
SIHG32N50D-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥44.7932 10:¥39.9568 100:¥32.7361 250:¥29.1201	参考库存:5630
SI7806ADN-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 14A 0.011Ohm	1:¥11.2209 10:¥9.2999 100:¥7.1416 500:¥6.1359 3,000:¥6.1359	参考库存:10132
NSVDTC144WET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR NPN 50V	1:¥2.9154 10:¥1.9549 100:¥0.82264 1,000:¥0.56048 3,000:¥0.43844	参考库存:62984
IRF7506TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8	1:¥5.3788 10:¥4.4748 100:¥2.8815 1,000:¥2.3052 4,000:¥1.9549	参考库存:31311