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晶体管
STL9N60M2参考图片

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STL9N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
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数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.8 A
Rds On-漏源导通电阻
860 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL9N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
90 mg
商品其它信息
优势价格,STL9N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 900A
1:¥5,321.4751
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1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:119995
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1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.594
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:13047
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1:¥27.9675
10:¥23.8204
100:¥20.5886
250:¥19.5151
参考库存:5549
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥44.3412
10:¥37.6516
100:¥32.657
250:¥30.962
500:¥27.8206
参考库存:5386
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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