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晶体管
STB33N60DM2参考图片

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STB33N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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库存:47,126(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥15.2889
15288.9
2,000
¥14.5205
29041
5,000
¥13.9894
69947
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Reel
系列
STB33N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STB33N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, -30V, 0.7A, P-Type, SOT-23
1:¥5.537
10:¥4.2827
100:¥3.2544
500:¥2.7685
3,000:¥1.9549
9,000:查看
参考库存:34064
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
3,000:¥2.3504
9,000:¥2.2713
24,000:¥2.1809
参考库存:34069
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:34074
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sm Signal
20,000:¥0.89157
25,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:34079
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8817
参考库存:34084
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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