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晶体管
SQD100N03-3M2L_GE3参考图片

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SQD100N03-3M2L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
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数量单价合计
2,000
¥5.1867
10373.4
4,000
¥4.9946
19978.4
10,000
¥4.8025
48025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
116 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
122 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SQD100N03-3M2L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC2114E0L
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:23411
SIHF8N50D-E3
Vishay / Siliconix
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1:¥12.9046
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
参考库存:7523
BC847CMB,315
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 46 V, 100 mA NPN General Purpose Tran
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:55705
NX7002BKMBYL
Nexperia
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MOSFET NX7002BKMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:53797
2N6476
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥14.7578
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
参考库存:5089

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    50万现货SKU

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