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晶体管
IPP90R1K0C3参考图片

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IPP90R1K0C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 5.7A TO220-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.4524
4226.2
1,000
¥7.0512
7051.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.7 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPP90R1K0C3XKSA1 IPP9R1KC3XK SP000683094
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP90R1K0C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Quad NPN/PNP
1:¥37.2674
10:¥33.2672
100:¥30.2727
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1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:40548
晶体管
MOSFET N-CH/200V/10A/QFET
1:¥6.4523
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:24910
晶体管
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1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:9842
晶体管
MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:12444
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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