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晶体管
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IPP80R1K2P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6217
4621.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP80R1K2P7 SP001644606
商品其它信息
优势价格，IPP80R1K2P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IHW30N120R3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥37.1092
10:¥31.5044
100:¥27.2782
250:¥25.8996
500:¥23.2102
参考库存:4586
BD17510STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.6838
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
参考库存:15368
2SB1204T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 50V
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
参考库存:3465
NJVMJD112G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 2A 100V
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
参考库存:9622
PUMH18,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:77999

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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