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晶体管
IPB180N04S4-H0参考图片

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IPB180N04S4-H0

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.4416
184.416
100
¥14.7578
1475.78
500
¥12.9046
6452.3
1,000
¥10.6785
10678.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
225 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
49 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
44 ns
零件号别名
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB18N4S4HXT SP000711248
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180N04S4-H0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 35W 50Vcbo 40Vceo 1.5A 2.0Vce
90:¥89.9819
120:¥82.6821
270:¥75.3823
510:¥67.0768
参考库存:30556
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 4.5A
4,000:¥1.5594
8,000:¥1.5029
24,000:¥1.4464
48,000:¥1.4238
参考库存:30561
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30566
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:30571
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:4114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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