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晶体管
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IPAW60R190CEXKSA1

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数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
1,000
¥7.1642
7164.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26.7 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPAW60R190CE SP001391612
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPAW60R190CEXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP6250SFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥2.2148
参考库存:34077
TSA894CT
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor planar high Vltg
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
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900:¥7.6727
1,050:¥6.3506
参考库存:34097

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    50万现货SKU

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