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晶体管
IPA65R600E6参考图片

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IPA65R600E6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
1,000
¥5.5822
5582.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPA65R600E6XKSA1 IPA65R6E6XK SP000799140
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA65R600E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥13.1419
10:¥10.8367
参考库存:16176
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V PNP
1:¥1.07576
10:¥0.9605
100:¥0.33787
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:239563
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:6980
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 450V 35W NPN
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9495
参考库存:9007
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.8422
参考库存:8284
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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