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晶体管
FQPF9N50C参考图片

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FQPF9N50C

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库存:4,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
44 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQPF9N50C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.5 S
下降时间
64 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FQPF9N50C_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FQPF9N50C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥109.8812
250:¥100.1971
500:¥93.7448
1,000:¥85.9817
参考库存:35021
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥995.078
参考库存:35026
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100:¥362.6848
250:¥338.4802
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥360.922
5:¥341.3956
10:¥337.5536
25:¥312.1964
参考库存:35036
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
3,000:¥5.0624
9,000:查看
参考库存:20636
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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