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晶体管
SPU04N60C3参考图片

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SPU04N60C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 4.5A IPAK-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
1,000
¥5.6274
5627.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58.5 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SP000095850 SPU04N60C3BKMA1 SPU4N6C3XK
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPU04N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC114YETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 70MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:29189
MMBT4403T-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 150mW
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:20041
IHW20N135R3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
参考库存:2688
APT100GN120B2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥203.7051
5:¥194.5634
10:¥188.484
25:¥173.1951
参考库存:2760
DTA014EMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:13097

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    50万现货SKU

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