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晶体管
LSIC1MO120E0120参考图片

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LSIC1MO120E0120

  • Littelfuse
  • 新批次
  • MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
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数量单价合计
1
¥113.2599
113.2599
10
¥102.9656
1029.656
25
¥95.2025
2380.0625
50
¥90.061
4503.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
LSIC1MO
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Littelfuse
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格，LSIC1MO120E0120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA204030R
Panasonic
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.3053
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100:¥1.7628
500:¥1.5933
3,000:¥0.99892
9,000:查看
参考库存:16010
IRF624PBF
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1:¥9.1417
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10:¥5.3562
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
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FQPF11N40C
ON Semiconductor / Fairchild
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MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5936
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参考库存:2531
BFP405FH6327XTSA1
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1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:12453

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    50万现货SKU

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