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晶体管
BSS138N H6327参考图片

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BSS138N H6327

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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7402
17.402
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.43844
1315.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS138
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
8.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.7 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
零件号别名
BSS138NH6327XT BSS138NH6327XTSA2 SP000919330
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS138N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
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1:¥3.7629
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1,000:¥1.1752
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1:¥4.0002
10:¥3.3335
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1,000:¥1.5707
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参考库存:18660
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    50万现货SKU

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