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晶体管
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CSD23381F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V P-CH FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.5312
25.312
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD23381F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23381F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
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1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
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100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
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1:¥4.8364
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100:¥2.5651
700:¥2.0566
2,100:¥1.7402
参考库存:11253
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    50万现货SKU

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