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晶体管
DMS3014SSS-13参考图片

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DMS3014SSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
2,500
¥1.1752
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10.4 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
45.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMS30
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.1 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥2.486
100:¥1.1413
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8,000:¥0.68365
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10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:30092
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    50万现货SKU

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