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晶体管
TSM900N06CW RPG参考图片

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TSM900N06CW RPG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
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库存：61,924(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.5425
254.25
500
¥1.8645
932.25
2,500
¥1.2769
3192.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.3 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
5.3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG3407SSN-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:52509
SI4668DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm @ 10V
2,500:¥3.6612
5,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:34473
DMTH62M8LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥3.9776
10,000:¥3.8307
参考库存:34478
SIHW23N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
480:¥19.5942
960:¥17.5941
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TGF2120
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
100:¥112.1864
300:¥104.8866
500:¥97.971
1,000:¥91.5978
参考库存:34488

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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