BSM180D12P3C007详细信息_BSM180D12P3C007相关参数PDF

分立半导体模块

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压	- 4 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Half-Bridge
商标	ROHM Semiconductor
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	50 ns
下降时间	50 ns
Id-连续漏极电流	180 A
Pd-功率耗散	880 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	70 ns
工厂包装数量	12
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	165 ns
典型接通延迟时间	50 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	2.7 V
零件号别名	BSM180D12P3C007

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DZ1070N26K	Infineon Technologies	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 2600V 1700A	1:¥3,464.8738 5:¥3,256.095	参考库存:32581
TT500N12KOF	Infineon Technologies	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 1200V 900A DUAL	1:¥1,773.2412 5:¥1,730.595 10:¥1,687.5646 25:¥1,663.8911	参考库存:32586
TD500N18KOF	Infineon Technologies	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 1800V 900A	1:¥1,796.2141 5:¥1,753.0255 10:¥1,709.464 25:¥1,685.4854	参考库存:5634
M505035	Crydom	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 50A 1200V SCR BRDG MODULE POWER	1:¥892.3384 10:¥849.2402 25:¥830.8664 50:¥811.2044 100:¥787.3049	参考库存:32593
APT50M50JVFR	Microsemi	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power FREDFET - MOS5	1:¥554.0164	参考库存:5736